Destalhes do Produto

Detalhes do Produto

Transistor Mosfet Ixys Ixfh30n50p 30a 500v Canal N To-247

Especificações Técnicas:
Tensão Máxima Dreno-Fonte (Vdss): 500 V
Resistência Máxima em Condução (RDS on): 200 m (0.2 Ohms)
Dissipação Máxima de Potência (Pd): 360 W
Temperatura de Operação: -55 °C a 150 °C

Transistor Mosfet Ixys Ixfh30n50p 30a 500v Canal N To-247

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